Éxcitons em semicondutores magnéticos diluídos

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dc.contributor.advisor1SOUZA, Márcio Adriano Rodrigues
dc.contributor.advisor1Latteshttp://lattes.cnpq.br/2980610890056479por
dc.creatorALVES, Erivelton de Oliveira
dc.creator.Latteshttp://lattes.cnpq.br/5216844791672930por
dc.date.accessioned2014-07-29T15:07:06Z
dc.date.available2010-11-11
dc.date.issued2006-08-02
dc.description.abstractWe investigate the resonant tunneling of electrons and holes in an asymmetric double quantum bit CdTe / CdMnTe in the presence of electric and magnetic fields applied along the growth direction. We show that in this case it is possible to achieve a condition of simultaneous resonant tunneling of electrons and holes with spin set, ie, a resonant tunneling of excitons polarized. Then we calculated the excitonic binding energy as a function of applied fields, showing the strong dependence of the binding energy with the tunneling of carriers. The electronic structure was calculated using the k ~ ~ p multiband Kane model. The eigenstates were obtained by solving numerically the equations ° C ~ the effective mass using the method of inverse power. The effects of lattice strain were treated by the Bir-Pikus model. The energy calculation of excitonic Dial-Up was conducted using the variational method. We consider the perfectly abrupt interfaces of the heterostructures, ie effects of enlargement of the interfaces were neglected.eng
dc.description.provenanceMade available in DSpace on 2014-07-29T15:07:06Z (GMT). No. of bitstreams: 1 DissErivelton Oliveira Alves.pdf: 643061 bytes, checksum: 32148288b33769364a665f4bc2c83e1c (MD5) Previous issue date: 2006-08-02eng
dc.description.resumoInvestigamos o tunelamento ressonante de elétrons e buracos em um pouco quântico duplo assimétrico de CdTe/CdMnTe na presença de campos elétricos e magnéticos aplicados ao longo da direção de crescimento. Mostramos que neste caso é possível alcançar uma condição de tunelamento ressonante simultâneo de elétrons e buracos com spin definido, isto é , um tunelamento ressonante de éxcitons polarizados. Em seguida calculamos a energia de ligação excitônica em função dos campos aplicados, mostrando a forte dependência da energia de ligação com o tunelamento dos portadores. A estrutura eletrônica foi calculada usando o método ~k ~p no modelo multibandas de Kane. Os autoestados foram obtidos resolvendo-se numericamente a equa¸c ao da massa efetiva usando o método das potência inversa. Os efeitos de tensão da rede cristalina foram tratados pelo modelo de Pikus-Bir. O cálculo de energia de ligaçãoo excitônica foi realizado usando o método variacional. Consideramos as interfaces da heteroestrutura perfeitamente abruptas, isto é, efeitos de alargamento das interfaces foram desprezados.por
dc.formatapplication/pdfpor
dc.identifier.citationALVES, Erivelton de Oliveira. Excitons in diluted magnetic semiconductors. 2006. 81 f. Dissertação (Mestrado em Ciências Exatas e da Terra) - Universidade Federal de Goiás, Goiânia, 2006.por
dc.identifier.urihttp://repositorio.bc.ufg.br/tede/handle/tde/798
dc.languageporpor
dc.publisherUniversidade Federal de Goiáspor
dc.publisher.countryBRpor
dc.publisher.departmentCiências Exatas e da Terrapor
dc.publisher.initialsUFGpor
dc.publisher.programMestrado em Físicapor
dc.rightsAcesso Abertopor
dc.subjectéxcitonspor
dc.subjecttunelamento ressonantepor
dc.subjectexcitonseng
dc.subjectresonant tunnelingeng
dc.subject.cnpqCNPQ::CIENCIAS EXATAS E DA TERRA::FISICApor
dc.thumbnail.urlhttp://repositorio.bc.ufg.br/TEDE/retrieve/3534/DissErivelton%20Oliveira%20Alves.pdf.jpg*
dc.titleÉxcitons em semicondutores magnéticos diluídospor
dc.title.alternativeExcitons in diluted magnetic semiconductorseng
dc.typeDissertaçãopor

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